关于组织申报2019年度广东省重点领域研发计划“第三代半导体材料与器件”重大专项项目的通知

省直有关部门、各地级以上市科技局(委)、各有关单位：

　　为全面贯彻落实党的十九大和习近平总书记关于加强关键核心技术攻关的系列重要讲话精神，按照省第十二次党代会、十二届四次、六次全会和全省科技创新大会相关部署，根据《广东省重点领域研发计划实施方案》，现启动2019年度广东省重点领域研发计划“第三代半导体材料与器件”重大专项项目申报工作。有关事项通知如下：

　　一、申报要求

　　(一)项目申报单位(包括科研院所、高校、企业、其他事业单位和行业组织等)应注重产学研结合、整合省内外优势资源。申报单位为省外地区的，项目评审与广东省内单位平等对待，港澳地区高校院所按照《广东省科学技术厅广东省财政厅关于香港特别行政区、澳门特别行政区高等院校和科研机构参与广东省财政科技计划(专项、基金等)组织实施的若干规定(试行)》(粤科规范字〔2019〕1号)文件精神纳入相应范围。

　　省外单位牵头申报的，经竞争性评审，择优纳入科技计划项目库管理。入库项目在满足科研机构、科研活动、主要团队到广东落地，且项目知识产权在广东申报、项目成果在广东转化等条件后，给予立项支持。

　　(二)坚持需求导向和应用导向。鼓励企业牵头申报，牵头企业原则上应为高新技术企业或龙头骨干企业，建有研发机构，在本领域拥有国家级、省部级重大创新平台，且以本领域领军人物作为项目负责人。鼓励加大配套资金投入，企业牵头申报的，项目总投入中自筹经费原则上不少于70%;非企业牵头申报的，项目总投入中自筹经费原则上不少于50%(自筹经费主要由参与申报的企业出资)。

　　(三)省重点领域研发计划申报单位总体不受在研项目数的限项申报约束，项目应依托在该领域具有显著优势的单位，加强资源统筹和要素整合，集中力量开展技术攻关。不鼓励同一单位或同一研究团队分散力量、在同一专项中既牵头又参与多个项目申报，否则纳入科研诚信记录并进行相应处理。

　　(四)项目负责人应起到统筹领导作用，能实质性参与项目的组织实施，防止出现拉本领域高端知名专家挂名现象。

　　(五)项目内容须真实可信，不得夸大自身实力与技术、经济指标。各申报单位须对申报材料的真实性负责，要落实《关于进一步加强科研诚信建设的若干意见》(厅字〔2018〕23号)要求，加强对申报材料审核把关，杜绝夸大不实，甚至弄虚作假。各申报单位、项目负责人须签署《申报材料真实性承诺函》(模板可在阳光政务平台系统下载，须加盖单位公章)。项目一经立项，技术、产品、经济等考核指标无正当理由不予修改调整。

　　(六)申报单位应认真做好经费预算，按实申报，且应符合申报指南有关要求。牵头承担单位原则上应承担项目的核心研究任务，分配最大份额的项目资金。项目研究成果须在广东转化和产业化。

　　(七)有以下情形之一的项目负责人或申报单位不得进行申报或通过资格审查：

　　1.项目负责人有广东省级科技计划项目3项以上(含3项)未完成结题或有项目逾期一年未结题(平台类、普惠性政策类、后补助类项目除外);

　　2.项目负责人有在研广东省重大科技专项项目、重点领域研发计划项目未完成验收结题(此类情形下该负责人还可作为项目组成员参与项目申报);

　　3.在省级财政专项资金审计、检查过程中发现重大违规行为;

　　4.同一项目通过变换课题名称等方式进行多头或重复申报;

　　5.项目主要内容已由该单位单独或联合其他单位申报并已获得省科技计划立项;

　　6.省内单位项目未经科技主管部门组织推荐;

　　7.有尚在惩戒执行期内的科研严重失信行为记录和相关社会领域信用“黑名单”记录;

　　8.违背科研伦理道德。

　　二、专题内容

　　本专项重点部署6个专题，专题1-5部署8个项目，申报时研究内容必须涵盖该专题(项目)下所列的全部内容，项目完成时应完成该专题(项目)下所列所有考核指标。项目实施周期为3-4年，参研单位总数不得超过10个。专题6设4个课题，由项目单位提出具体研究内容和可考核的技术、经济指标，每个课题原则上支持1项，同一单位(含全资、参股、控股关联单位)支持不超过1项(高校除外)。所有专题除特殊说明外，鼓励大企业联合创新型中小企业、高校、科研院所等，产学研合作申报。

　　专题1：第三代半导体材料生长技术和关键设备(专题编号：20190169)

　　项目1.1：高质量氮化镓单晶材料制备及关键技术研究

　　研究内容：

　　1)研究高质量低位错氮化镓(GaN)单晶衬底的关键制备技术：研究GaN的初始成核与生长中的位错拐弯与合拢的基本过程与形成机理，以及外延生长区流场温场的调控对晶体位错、应力形成的影响与优化;

　　2)研究4-6英寸GaN单晶衬底的批量制造关键技术：研究大尺寸GaN单晶层的无裂纹外延生长及其分离技术，研究GaN单晶衬底的表面加工处理工艺实现epi-ready纳米级表面，研究工艺的稳定重复性;

　　3)研究GaN同质外延生长过程中的关键技术：研究同质外延中的界面调控与应力形成及其优化控制，研究外延层中的晶体成核与位错密度调控，研究精准掺杂技术及其迁移率调控。

　　考核指标：

　　1)4-6英寸GaN单晶衬底的稳定量产，衬底位错密度<1×106cm-2(CL5点检测)，厚度>400μm，总厚度偏差(TTV)小于30μm，曲度(BOW)绝对值小于30μm，表面粗糙度<0.1nm@10μm×10μm，N型掺杂浓度大于1-3×1018cm-3，电阻率小于0.05Ω/cm，迁移率>600cm2/V·s，晶向C面偏M面偏角角度范围0.35°±0.1°;

　　2)以上指标通过具有国家认证资质的第三方测试机构测试;

　　3)申请发明专利8件，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文;

　　4)实现4英寸氮化镓单晶衬底产能5000片/年。

　　申报要求：本项目为产业化项目，须企业牵头申报。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过2000万元。

　　项目1.2：MPCVD半导体金刚石单晶材料生长设备及关键工艺技术攻关

　　研究内容：

　　1)开展基于微波诱导腔体共振激发的等离子体行为模拟研究，研制国产大功率微波等离子体化学气相沉积设备(MPCVD);

　　2)研制国产大功率微波发生器及其辅助设备，提高设备的运行效率;

　　3)通过仿真与工艺实验优化，攻关大面积金刚石衬底的高速、高质量与高均匀性的生长难题，制备高质量大尺寸单晶金刚石衬底。

　　考核指标：

　　1)研制出国产30kW大功率2.45GHz的频率发生设备，能量幅值波动小于5%，频率稳定度在1%;

　　2)研制出国产30kW微波等离子体化学气相沉积设备，实现大于50μm/h的金刚石生长速率，其N、Si等杂质的含量接近或低于金刚石光致发光光谱的检测限;

　　3)制备2英寸的单晶金刚石衬底，其(400)晶面的XRD摇摆曲线半高宽小于50弧秒，金刚石的一阶拉曼位移半高宽小于4cm-1;

　　4)以上指标通过具有国家认证资质的第三方测试机构测试;

　　5)设备平均故障间隔时间(MTBF)>5000小时;

　　6)申请发明专利10件，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过2500万元。

　　项目1.3：大尺寸氮化铝衬底材料装备开发及关键工艺研究

　　研究内容：

　　1)应用物理气相输运法(PVT)研究大尺寸氮化铝(AlN)单晶衬底材料，突破4英寸及以上单晶衬底材料装备开发及关键工艺技术;

　　2)应用仿真模拟技术研究热场及结晶动力学，突破AlN单晶制备中存在的晶体尺寸小、扩径难、缺陷多、应力大、易开裂、产率低、成本高等多项技术难题;

　　3)开发温场分区独立可控技术，研究高质量大尺寸AlN单晶生长关键工艺，制备出4英寸及以上的单晶AlN衬底材料;

　　4)开展单晶AlN衬底材料在紫外光探测器和微波功率器件等中的应用。

　　考核指标：

　　1)PVT法AlN晶体炉原理样机制造。搭建主要由高温反应腔体系统(温度≥2300℃)、高纯进气系统、双温区加热系统、坩埚保温系统、电控系统、监测系统及真空与尾气处理系统组成的单晶生长炉，完成国内首套4-6英寸PVT法AlN单晶生长炉，实现大于100μm/h的AlN单晶生长速率;

　　2)大尺寸高品质AlN晶体制备技术。在自主搭建的PVT晶体炉上进行4-6英寸AlN晶体生长工艺验证，获得(002)和(102)摇摆曲线半高宽≤100弧秒、透过率≥60%@280nm、位错密度≤1×105cm-2(CL5点检测)的4英寸及以上的高品质AlN单晶衬底材料;获得晶体良率>60%、衬底成品率>40%、可规模产业化的PVT法大尺寸AlN单晶制备工艺技术，实现2英寸AlN单晶衬底年产能100片的产业化目标;

　　3)AlN衬底器件验证。基于AlN衬底制备深紫外LED(240-280nm)器件，应答时间小于1ms，工作电压小于10V;基于AlN衬底的肖特基二极管(SBD，JBSD)和晶体管(JFET、MOSFET)器件，器件击穿电压大于20kV;

　　4)以上指标通过具有国家认证资质的第三方测试机构测试;

　　5)AlN单晶生长炉平均故障间隔时间(MTBF)>3000小时;

　　6)申请发明专利10件，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文。

　　申报要求：本项目有产业化目标，须不少于项目总投入50%的自筹经费。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过2500万元。

　　专题2：第三代半导体功率器件、模块及其应用(专题编号：20190170)

　　项目2.1：新能源汽车碳化硅器件及模块的研发和产业化

　　研究内容：

　　1)研究开发新一代高功率密度新能源车载功率半导体芯片(1200V)设计和应用技术，建立高温碳化硅(SiC)MOSFET及二极管芯片物理模型和行为级模型，设计高温SiC芯片结构，研究解决高温栅氧等温度强相关的关键工艺，形成一整套工艺流程方案，建立高温芯片测试能力和测试规范;

　　2)研究针对SiC芯片的高温封装模块及工艺技术，研究烧结银、高温管壳、高温绝缘材料等高温模块封装材料，配合新型SiN绝缘覆铜板技术，实现高温模块的更优应力和热管理效果;

　　3)研究高温工作条件下的多物理场耦合机制和模型，设计高温封装模块结构，研究高温条件下的多芯片并联动态均流，建立高温模块测试和可靠性试验规范;

　　4)研究开发基于SiC的高效一体化水冷技术，提高整体散热效果和稳定性，降低模块失效机率;

　　5)研究解决应用于新能源汽车的高温高功率密度功率半导体的关键技术问题。

　　考核指标：

　　1)SiC二极管芯片，最高工作结温不低于200℃，电压能力≥1200V，电流能力≥50A;SiCMOSFET芯片，最高工作结温不低于200℃，电压能力≥1200V，导通电阻≤40mΩ;

　　2)高温下的SiCMOSFET的物理模型和行为级模型，仿真精度不低于10%;

　　3)封装的SiC模块，最高工作结温不低于200℃，电压能力≥1200V，电流能力≥400A;

　　4)新型SiN绝缘覆铜板热导率不低于24W/m·K;高温绝缘材料耐高温不低于225℃;

　　5)以上指标通过具有国家认证资质的第三方测试机构测试;

　　6)高温SiC芯片和模块的可靠性满足汽车标准要求，符合新能源汽车功率模块验证标准AEC-Q101&AQG(LV)324;

　　7)申请发明专利不少于10项，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文;

　　8)实现量产和销售，新增产值5000万元。

　　申报要求：本项目为产业化项目，须企业牵头申报。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过2000万元。

　　项目2.2：第三代半导体大功率器件抗辐射加固技术

　　研究内容：

　　针对宇航用高压功率器件需求，从碳化硅(SiC)材料、器件、试验等多个层面开展抗辐射SiC功率器件技术研究，深入研究高压大功率SiC器件辐射损伤机理、表征方法及评价标准等关键科学问题，解决高压大功率SiC器件抗辐射材料加固、器件加固及工艺加固等关键技术问题，形成完全自主可控的抗辐射高压大功率SiC器件制备技术。

　　针对宇航用氮化镓(GaN)电力电子器件，开展质子、重粒子辐射实验，揭示GaN器件在辐射效应下的损伤机制;结合材料、器件等对辐射损伤机制的影响，确定影响GaN器件辐射退化的主要因素;在此基础上，开展GaN器件抗辐射加固设计研究，实现抗辐射加固，满足我国空天领域对高可靠GaN功率器件的需求。

　　考核指标：

　　1)SiC二极管：BVR≥1200V，IF≥30A，抗总剂量能力达到300krad(Si)，抗单粒子烧毁能力LET≥75MeV·cm2/mg;

　　2)SiCMOSFET：BVDS≥1200V，VTH=(3~5)V，RDS(on)≤80mΩ，抗总剂量能力达到300krad(Si)，抗单粒子烧毁能力LET≥75MeV·cm2/mg;

　　3)GaN功率器件：BVDS=100V。抗总剂量能力达到300krad(Si);抗单粒子烧毁能力LET≥75MeV·cm2/mg;3MeV,1×1014/cm2质子辐射下，器件饱和漏极电流退化≤10%;

　　4)以上指标通过具有国家认证资质的第三方测试机构测试;

　　5)申请发明专利不少于8项，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过2000万元。

　　专题3：6-8英寸硅衬底氮化镓基射频功率放大器件关键技术研究及应用(专题编号：20190171)

　　研究内容：

　　围绕5G移动通信低成本高性价比射频器件的核心技术需求，开展面向6GHz以下和26GHz毫米波段应用的硅(Si)基氮化镓(GaN)射频功率放大器件的产业化关键技术研究;材料方面，分别开展面向6GHz以下和26GHz毫米波段应用的低射频损耗6-8英寸Si衬底上GaN基异质结构的外延材料生长技术研究，包括对大尺寸Si衬底上GaN基外延材料的射频损耗抑制、高耐压技术、晶圆翘曲、韧性、均匀性、可重复性进行研究;器件方面，立足自主可控，基于国内工艺线，分别开展面向6GHz以下和26GHz毫米波段应用的6-8英寸Si基GaN射频器件的CMOS兼容的低成本设计与制造技术研究，包括对大尺寸晶圆的离子注入隔离工艺、与CMOS兼容的欧姆接触工艺、栅电极工艺和微带线工艺、大栅宽源电极互联接地工艺、低器件漏电制造工艺、阈值电压提升工艺、载流子迁移率优化、衬底快速剥离及转移工艺、Si衬底GaN射频器件散热优化等关键技术进行研究;可靠性评测方面，研究器件动态电流崩塌的衰退机制及其控制方法;建立异质结构材料与器件的可靠性评价体系，研究器件的失效机理与可靠性提升技术，特别是与JEDEC国际质量标准体系对接。研发适用于高频射频功放的新应用。

　　考核指标：

　　1)研制出面向6GHz以下通信用6-8寸Si基GaN异质结构晶圆,(002)、(102)半高宽<300弧秒，材料射频损耗≤0.1dB/mm@6GHz、方块电阻≤250Ω/□、方块电阻不均匀性<3%，翘曲<50μm，边缘龟裂≤3mm，并形成12000片/年的产能;基于上述晶圆材料，研制出CMOS兼容低成本高性价比Si基GaN射频功率器件，工作频率3.4-3.6GHz，饱和功率≥44dBm、饱和效率≥48%、增益≥15dB、寿命≥10年，实现在6-8寸Si基GaN生产线上规模量产的能力，达成良品率批量生产连续三个批次成品率≥90%;

　　2)研制出面向26GHz毫米波通信用6-8寸Si基GaN异质结构晶圆，材料射频损耗≤0.8dB/mm、方块电阻≤250Ω/□、翘曲≤50μm、不均匀性≤3%，龟裂≤3mm，并形成12000片/年的产能。基于上述晶圆材料，研制出CMOS兼容低成本Si基GaN毫米波功放器件，工作频率24.75-27.50GHz，饱和功率≥37dBm、饱和效率≥28%、增益≥15dB、寿命≥10年，实现在6-8寸Si基GaN生产线上规模量产的能力，达成良品率批量生产连续三个批次成品率≥90%;

　　3)掌握Si基GaN射频器件高效、无损伤的衬底快速移除技术和低应力外延膜转移工艺，解决Si基GaN大功率射频器件热导差、高频损耗高等问题，其中转移到金属等高热导衬底后器件热阻(结到环境)最大不超过60°/W;

　　4)以上指标通过具有国家认证资质的第三方测试机构测试;

　　5)申请发明专利不少于8项，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文。

　　申报要求：本项目有产业化目标，须不少于项目总投入50%的自筹经费。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过2500万元。

　　专题4：深紫外固态光源关键技术研究(专题编号：20190172)

　　研究内容：

　　面向高端家电、高端医疗、污水处理等产业领域对环保型高效大功率深紫外固态光源的迫切需求，立足自主技术创新，突破环保型高效大功率深紫外固态光源外延、芯片、封装、应用的关键技术问题，形成具有自主知识产权的环保型高效大功率深紫外固态光源产业化制备成套关键技术。

　　1)高品质衬底制备：低位错密度、低杂质浓度、高表面平整度的4英寸AlN/蓝宝石模板制备研究;

　　2)高质量材料外延：基于上述衬底，开展高辐射发光效率深紫外量子阱结构制备和高Al组分AlGaN的高效p型掺杂技术研究;

　　3)研究芯片、封装技术：基于上述材料，开发出具有优异电学特性和高光提取效率的深紫外芯片结构;开发出高可靠性和高深紫外透过率的新型封装技术;

　　4)开发系列产品：开展应用于杀菌消毒产品的二次光学设计、流体结构设计、驱动电路设计、散热设计研究，实现产业化应用。

　　考核指标：

　　1)衬底制备：4英寸AlN/蓝宝石模板位错密度低于1×107cm-2，C、Si、O杂质浓度低于3×1017cm-3，表面粗糙度≤0.3nm@10μm×10μm;

　　2)材料外延：深紫外量子阱内量子效率高于80%，4英寸晶圆上深紫外LED芯片发光波长片内不均匀性在±5nm以内，高Al组分AlGaN(平均Al组分大于等于40%)空穴浓度高于6×1018cm-3;

　　3)芯片封装：深紫外固态光源芯片光输出功率>35mW@100mA，开启电压低于6V;新型封装技术265-280nm深紫外透过率达90%-95%以上，寿命达5000-10000h以上;

　　4)以上指标通过具有国家认证资质的第三方测试机构测试;

　　5)应用产品：开发出过流式水杀菌消毒器等多种深紫外固态光源应用产品，并实现规模销售。新增产值不少于5000万元;

　　6)申请发明专利不少于8项，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文。

　　申报要求：本项目有产业化目标，须不少于项目总投入50%的自筹经费。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过2000万元。

　　专题5：第三代半导体功率芯片、器件、模块的可靠性分析评价技术研究及关键设备开发(专题编号：20190173)

　　研究内容：

　　通过本专题的研究，开发第三代半导体功率器件和模块的可靠性关键分析评价技术，建立一套符合国际和国内标准、满足应用需求的功率半导体芯片、器件、模块可靠性分析评价方法体系和检测与认证方法，并针对第三代半导体功率器件分析评价要求，开发关键设备，开展对外分析评价和检测认证服务，牵头或参与制定相关检测分析评价国家标准。

　　1)开发第三代半导体功率芯片、器件和模块的可靠性分析评价和检验检测技术，建立可靠性分析评价方法体系。开发第三代半导体功率芯片、器件和模块的关键分析评价和检验检测技术，建立可靠性检测分析评价方法体系，包括芯片电学参数测试、功率循环测试(PowerCycling，PC)、高温反偏测试(HTRB)、高温栅极反偏测试(HTGB)、高温高湿反偏测试(H3TRB)、无损检测技术等。

　　研究车规级功率循环加速老化测试方法，以IGBT模块薄弱环节加速试验为基础，基于薄弱环节寿命分布与加速因子，研究建立加速试验加速因子模型及基于加速老化影响参数的寿命模型。结合计算机仿真以及实验优化，研究第三代半导体功率芯片

　　在测试过程中的结温精确监测、器件和模块的功率循环测试寿命预测和加速老化影响因子等关键问题。研究机械振动、温度变化与功率变化等综合作用下的器件与模块失效机理，提出基于失效机理与实验数据融合的功率器件使用寿命预测模型。研究器件热传导路径上各层结构的热学性能，形成热测试“X射线”技术，测量器件在热量累积过程中的老化和降级，满足电学热学可靠性一体化的测试分析。

　　2)针对第三代半导体功率器件分析评价要求，开发功率循环测试设备，实现器件及模块的功率循环寿命评价测试。

　　3)制定第三代半导体功率器件的检测分析标准。依据国际及国内的可靠性测试方法标准：IEC60749，JESD22A，MIL-STD-750，GB-T2423，AEC-Q101，AQG-324，开展第三代半导体系统性检测分析技术的研究，牵头或参与相关国家/行业/权威团体标准或规范的制定。

　　考核指标：

　　1)建立第三代半导体功率器件功率循环寿命模型：建立一个至少包含三个参数(芯片温度差ΔTj，芯片最高温度Tjmax，测试电流导通时间ton)的SiC与GaN功率器件的功率循环测试寿命模型，其测试导通时间ton跨度在0.1s至60s之间，芯片的温降ΔTj范围60-120K，最高芯片温度Tjmax范围为100-175℃，老化寿命模型的预测误差小于15%;建立多工况测试环境下器件可靠性寿命模型：综合温度循环、机械震动测试与功率循环测试等多种老化测试方法，提出至少1种测试寿命模型，在失效机理类似的情况下，预测功率器件的使用寿命，误差小于15%;建立第三代半导体功率器件可靠性加速测试模型：改变高温反偏测试、高温高湿反偏测试、高温栅极反偏测试的测试条件，使测试时间缩短至三分之一，而失效机理不变。

　　2)基于精确结温监测技术，分别开发针对SiC与GaN材料的功率器件功率循环测试设备：该设备最大正向负载电流不低于200A，正向压降不小于5V，栅极压降变化范围-20～+20V，设备支持的器件不少于6个，水冷温度15-80℃，负载电流导通时间不小于0.1s，设备结温监测精度与红外摄像对比的差距不大于5%;满足静态测试与动态测试的要求，具备实时采集器件瞬态温度响应曲线的能力，其采样率及测试延迟低于1微秒，结温分辨率0.1℃;

　　3)分别开发SiC与GaN功率芯片、第三代半导体功率器件与模块的静态和动态电学参数测试设备，支持测试最大导通电流1000A，最大阻断电压5000V;

　　4)建立符合国际和国内相关标准(IEC60747-9，AECQ101，AQG324，GB/T28046.3)的检测分析评价方法，比较不同测量结温的方法对于功率循环测试的影响，确立未来的失效标准;

　　5)项目实施期内，对外提供可靠性测试与失效分析检测服务不少于200批次;

　　6)基于研究成果开发相关检测分析设备不少于5种，申请发明专利10项，围绕项目形成的创新成果发表高水平论文。牵头或参与不少于3项国家/行业/权威团体标准或规范的编制，并完成标准报批稿。

　　申报要求：本专题要求具有独立法人资格的第三方检测机构牵头，联合相关目标产品应用单位申报。

　　支持方式与强度：无偿资助，每项不超过1500万元。

　　专题6：第三代半导体材料和器件制备研究及典型应用示范(专题编号：20190174)

　　研究内容：

　　针对第三代半导体材料和器件中具有产业化潜力的发展方向，设宽禁带氧化镓单晶材料与器件、低损耗高性能GaN基双向阻断功率器件、垂直结构氮化镓功率器件、氮化镓纳米阵列生长与器件制备等4个课题，开展材料制备、器件研制关键技术及创新应用研究。

　　考核指标：

　　本专题由项目申报单位提出研究内容、具体可考核的技术、经济指标和明确的工程应用方向，提出的技术指标应完备、可考核，具有国际先进性。相关技术成果需形成高价值知识产权;项目包含创新应用研究的，需提供具有展示性的原型器件、系统以及第三方检测报告。

　　支持方式与强度：无偿资助，设4个课题，每个课题原则上支持1项，每项不超过1000万元。

　　三、评审及立项说明

　　省重点领域研发计划项目由第三方专业机构组织评审，对申报项目的背景、依据、技术路线、科研能力、时间进度、经费预算、绩效目标等进行评审论证，并进行技术就绪度和知识产权等专业化评估：

　　(一)技术就绪度与先进性评估。本专项主要支持技术就绪度4～7级的项目，其中，技术就绪度目前为4～6级的项目在完成后原则上应有3级以上提高，目前为7级的项目在完成后应达到9级，各申报单位应在可行性报告中按要求对此进行阐述并提供必要的佐证支撑材料。

　　(二)查重及技术先进性分析。将利用大数据分析技术，对照国家科技部科技计划历年资助项目与广东省科技计划历年资助项目，对拟立项项目进行查重和先进性等分析。

　　(三)知识产权分析评议。项目研究成果一般应有高质量的知识产权，请各申报单位按照高质量知识产权分析评议指引的有关要求加强本单位知识产权管理，提出项目的高质量知识产权目标，并在可行性报告中按要求对此进行阐述并提供必要的佐证支撑材料，勿简单以专利数量、论文数量作为项目目标。

　　拟立项项目经领域专家和战略咨询专家审议，并按程序报批后纳入项目库管理，按年度财政预算及项目落地情况分批出库支持，视项目进展分阶段进行资金拨付。

　　同一指南中的同一项目方向(或子方向)，原则上只支持1项(指南有特殊说明的除外)，在申报项目评审结果相近且技术路线明显不同时，可予以并行支持。

　　广东省科学技术厅

　　2019年9月19日

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